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Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC70-6L Dual
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www.vishay.com
1
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1.600 (0.063)
Dimensions in mm (inches)
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Document Number: 70487
Revision: 18-Oct-13
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SIA913DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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SIA914DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 53mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube